带RCD吸收的反激变换器等效电路及稳态工作波形如下：

                                          图1 反激变换器等效电路

图2 稳态工作波形

磁化模态[t1-t2]、去磁模态[t5-t7]、振荡模态[t7-t8]在此不再赘述，而传输模态[t2-t5]是反激变压器能量从原边向次边转移的过程，分段线性化分析如下：

图3 t2-t3等效电路

开关管由导通转向关断，ip对Ceq充电，直到t3时刻，D1导通，该阶段结束，持续时间为

图4 t3-t4等效电路

由于D1导通，变压器原边被箝位在Vr，ip继续对Ceq充电，直到t4时刻，D2导通，该阶段结束

图5 t4-t5等效电路

Llk及部分Lp中的能量的向C2转移，由于D2导通时间较短，箝位电压可看为常数 Vcp，变压器原边电流为

直到t5时刻，ip(t)等于零，D1截止，该过程结束，持续的时间为

在一个开关周期内，仅在[t4-t5] 期间，箝位电容C2被充电，其余时间， C2对R2释放能量，RCD吸收电路的消耗能量由下式求得

上式可改写为

可见，RCD吸收损耗不仅包括漏感能量，还包含励磁能量。因而，减小变压器漏感Llk或提高箝位电压Vcp均可改善反激变换器效率。

12V2A电源采用集成690V Smart DMOS的多工作模式次边反馈芯片——PN8160，实验样机如下：

图6 12V2A电源实物图

EE19加厚变压器，分别采用TA(顺绕结构，变压器漏感42uH)和TB(三明治结构，变压器漏感24uH)，其它电路参数相同，电源效率对比如下：

备注：不同变压器结构，分布电容差异较大，影响EMC特性。

实验结果与理论分析相吻合，由于漏感能量损耗与Ip,pk平方成正比，降低漏感可明显改善低压效率(约1%)。

RCD吸收分别采用参数A(C=1nF，R=82k)、参数B(C=1nF，R=390k)，其它参数相同，电源效率对比如下：

备注：Vcp变化对EMC和开关管损耗有轻微影响。

实验结果与理论分析相吻合，由于励磁能量损耗与Vcp成反比，提高Vcp(即减轻RCD吸收)可明显改善多点转换效率。