INFINEON 碳化硅(SiC) CoolSiC™ MOSFET - 值得信赖的技术革命

INFINEON 碳化硅(SiC) CoolSiC™ - 值得信赖的技术革命

INFINEON MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 1200V是将设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC™ MOSFET成为了太阳能、UPS和工业驱动应用的最佳解决方案。

新材料升级，为客户提供更高水准的性能

碳化硅（SiC）为设计人员提供更高的灵活度，将效率和可靠性推至全新高度。

相比于IGBT和MOSFET等传统高电压（>600V）硅开关器件，SiC MOSFET产品具有诸多优点，例如在1200V级开关中最低的门极电荷和器件电容电平、反并联二极管无反向恢复损耗、低切换损耗不受温度影响以及无阈值导通特性。

除此之外，英飞凌1200V SiC MOSFET还具备额外的优势。得益于领先的沟槽设计、业界最卓越的开关和导通损耗表现、最高的跨电平（增益）性能、阈值电压Vth = 4 V以及短路稳健性，门极氧化层表现优异。这些特性将助力您的方案达到全新高度。

所有这些优点共同组成了强大的SiC MOSFET产品，使其成为硬式开关和谐振开关拓扑结构（如LLC和ZVS）的理想之选。这些器件还可以在标准驱动的配合下产生类似IGBT的驱动效果。这款产品可以在硅器件无法达到的开关频率下提供最高频率，从而使系统尺寸得以降低，同时提高功率密度并提高工作寿命内的可靠性。

优势

• 冷却需求降低，最高效率得以实现

• 寿命更长，可靠性更高

• 操作频率更高

• 系统成本降低

• 功率密度增加

• 系统复杂程度降低

• 易于设计和实施

特点

• 低电容器件

• 开关损耗不受温度影响

• 体二极管的反向恢复电荷较小

• 无阈值通态特性

Leven Cai 蔡明柱
MOB : 13751188660
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