如下图所示，超过一半的行业资本支出预计用于内存生产——主要是DRAM和闪存，这些支出包括了对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53％。
数据显示，存储设备的资本支出份额在过去六年大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27％（147亿美元）增加到2018年的行业资本支出总额的53％（540亿美元），也就是说存储产业的投资在2013-2018年间的复合年增长率高达30％。
IC Insights也表示，经过两年的资本支出大幅增加，一个迫在眉睫的主要问题是，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。
他们表示，存储市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。 但目前看来，包括三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（以及更多中国新内存创业公司进入市场） 。
IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在高涨且不断增长。
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蔡先生 