内存：什么是半导体存储器？

1. 什么是半导体存储器？

半导体存储器（IC存储器）是指“通过电气控制半导体电路来记录数据的存储装置”。我们用智能手机拍摄的照片、电脑中的重要数据等都存储在存储器中，是非常贴近生活的半导体设备。除半导体存储器外，还有用磁读写数据的“磁存储器”和用光读写数据的“光存储器”。

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2. 半导体存储器种类和特点概述

半导体存储器大致分为“易失性存储器（RAM）”和“非易失性存储器（ROM）”

易失性存储器（RAM）：可随时读写数据，断电数据丢失。包括动态随机存取存储器（DRAM），如SDRAM、DDR SDRAM等，集成度高、成本低、功耗小，但需刷新，速度较慢，常用于主存；静态随机存取存储器（SRAM），利用触发器保存信息，无需刷新，速度快，但集成度低、成本高、功耗大，常作为高速缓存存储器。

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3. 半导体存储器的特征、用途

DRAM是“Dynamic Random Access Memory”的缩写。它由一个晶体管和一个电容器组成。电容器中储存电荷的状态为1，不储存电荷的状态为0，记录数据。电容器用作电源和电容器通电的开关。仅可在通电时存储数据。即使通电时，电容器的电荷也会因漏电流而丢失，因此需要定期重新写入（刷新动作）。

SRAM的特点

SRAM是“Static Random Access Memory”的缩写。一个单元由4到6个晶体管（MOSFET）组成。存储部分使用触发器电路，因此动作快速，不需要定期刷新动作。内部结构复杂，与DRAM相比集成度较差，每个存储容量的单价较高。

EPROM的特点

EPROM是“Erasable Programmable Read Only Memory”的缩写。浮动栅极由MOSFET阵列组成。该非易失性存储器允许设备用户写入和擦除数据。写入是电气进行的，而数据擦除是通过将紫外线照射到封装窗口来进行的。

EEPROM的特点

EPROM是“Electrically Erasable Programmable Read Only Memory”的缩写。类似于EPROM，它由浮动栅极MOSFET阵列组成。用户可以写入和删除数据的非易失性存储器。与EPROM不同的是，写入和擦除都是电动的。数据写入/删除以1字节为单位进行，因此可以修改部分数据。

闪存的特点

NOR Flash：具有随机存取能力，读取速度快，但写入速度较慢、成本高、容量相对较小，适用于存储程序代码和少量数据。

NAND Flash：存储密度高、成本低、容量大，但随机读写性能稍差，适合大量数据的存储。

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