韩国已成为内存大国了？占全球75%市场份额，中国为最大市场

今年11月15日，SK海力士发布第一个符合JEDEC规格的DDR5 DRAM，而三星则在7月份成功开发出10nm级别的LPDDR5 DRAM，在技术上进一步领先于世界同类企业。据业内人士介绍，SK海力士发布的DDR5 DRAM比DDR4的电力消耗减少30％，数据传输速度也快了6成，适合应用在大数据、AI运算等领域，进一步打开市场和销量。

与此同时，镁光正忙于应付与福建晋华和台湾联华电子的专利之争。受反垄断调查和美国禁售影响，镁光几乎失去了中国这个全球最大的市场。

储存芯片在整个电子产业链中，扮演着至关重要的角色，它好比行军打仗的粮草，也被誉为电子系统的“粮仓”。存储芯片分为闪存和内存，闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，内存主要为 DRAM

DRAM内存主要用于电脑、手机和部分消费电子产品，据相关数据统计，2017年全球DRAM市场达568亿美元，同比增长了38%。而正如上文所说，美韩两国基本垄断了整个市场，韩国三星，SK海力士，和美国镁光的市场份额加起来有95%，三星更是在DRAM市场称霸多年，常年稳居第一，市场份额过半

韩国的DRAM内存发展迅速，并占领全球一半以上的市场，一方面得益于它们对这块市场的重视和提前布局，另一方面在于三星和海力士强大的技术支持。美国本来就是半导体的发源地，再难的技术也难不倒它们。曾经有段时间，台湾的DRAM企业风起云涌，试图挑战这三巨头的地位，也出现了南亚、力晶、力积、珏创、晶豪等有一定影响力的企业，但终因这三家巨大的实力而无法撼动其地位，那“三足鼎立”的现象是如何造成的呢？

一、技术难度高、研发周期长、投入大

存储器产品有自身的特点，它的设计投入非常大，同时研发周期也很长，当然它的成本和售价也不低。DRAM芯片的研发难度很高，是典型的尖端科技产品。DRAM的技术难度在于随着半导体制程的减小，电容器会受到直接穿隧电流的因素而难以微缩，且电容值也难增加。有专家预测，15nm是接近DRAM的物理极限，未来若想缩小线宽，只得开发新的材质。

随着半导体制程的缩写，DRAM芯片的研发周期增长了，以三星为例，它们正在研发的17nmDRAM预计明年进入量产阶段，但16nmDRAM的研发最快量产时间也要达到2020年，制程提升后面的研发难度会越来越大。

DRAM技术的投入太大导致很多企业无法承受，动辄几百亿。据悉，三星曾投资近百亿美金加大研发最新的DRAM技术。而国内的合肥长鑫与兆易创新联合投入百亿研发技术，这也让很多企业望而却步。

二、市场和工艺的更新周期太快

市场对DRAM芯片的需求也不是一成不变，从电脑到手机，再到汽车、消费电子，再到智能产品等，DRAM市场的变化也让中小企业步步为难。DRAM芯片从70nm到16nm，再到10nm等，由于薄膜厚度无法继续缩减，靠缩减尺寸很难提升性价比，工艺上的创新才是当前进步的关键。

三、跨不过的“专利坑”

对于初创企业而言，专利一直是半导体领域越不过的坎。美光半导体和福建晋华就因为专利问题，双方弄得不愉快。据悉，美光的多款自有品牌产品涉嫌侵害晋华专利，包含2TB 、500GB 的固态硬盘和相关侵权芯片。

三星和海力士在这个领域拥有很多的专利，三星早在上个世纪初开发出了全球第一个生产DRAM内存芯片的70纳米技术，当时已经为这个新技术申请了一项专利，如果想成为DRAM市场的巨头，除了与它们合作，其它的办法就是越过它们研发的专利，另辟蹊径。

四、独有工厂是这个市场的特点

三星、海力士和美光三家企业均拥有自己的DRAM内存芯片工厂，它们拥有自己的工艺。而对于很多中小型DRAM企业，没有工厂，很难保证产品良率和性价比。如三星每个月是350万片，假设投片没有大幅度增加，则必须要靠工艺来维持年成长，SK海力士和美光的工艺工厂也均有自己的优势。国内近年来也有很多企业建厂，但都是小批量，很难保证大产能的DRAM芯片的良率。

垄断还将继续

三家企业垄断一直是这个行业的特点，正因如此，多年来DRAM芯片涨价不断，这些企业赚翻了天，净利润高达50%以上，三星甚至达到了80%。对于很多中小企业而言，它们也想改变DRAM市场的格局，很多国家想过通过“反垄断”改变行业现状，但仍旧无济于事。

中国是目前最大的半导体芯片消费国，消耗了全球三分之一还多的半导体芯片，而DRAM内存及NAND闪存芯片几乎全部来自进口。相关数据显示，仅2017年DRAM芯片价格就上涨了40%，芯片国产化迫在眉睫，而中兴，从中兴事件到福建晋华被禁，中国半导体始终处于被动中，昨天美国又发布了史上最严技术管制名单，各方面对中国都不太友好，半导体行业能否突出重围，只能期待时间能给出答案了。