重磅！SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成；MLCC供不应求，太阳诱电上修营收目标

根据韩联社的消息，SK海力士公司宣布已开发出1Ynm 8GB DDR4 DRAM。与上一代1Xnm DRAM相比，该产品的效率提高了20％，功耗降低了15％以上，它还支持高达3,200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。该公司采用“4相时钟”方案，使时钟信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性

SK海力士还推出了自己的Sense Amp 控制技术，以减少功耗和数据错误。SK海力士改进了晶体管结构，降低了数据错误的可能性。该公司还降低了芯片的功耗，以防止不必要的损耗。

“这款1Ynm 8GB DDR4 DRAM为我们的客户提供了最佳的性能和密度，”DRAM营销主管Sean Kim说。“SK海力士计划从明年第一季度开始出货，积极响应市场需求，”他补充说。

SK海力士计划将1Ynm技术流程扩展到服务器和PC领域，后来扩展到其他各种应用，如移动设备。

科普：

在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于XYZ具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。

年增产1成不够用，太阳诱电上修营收目标

积层陶瓷电容(MLCC)大厂太阳诱电(Taiyo Yuden)宣布，因车辆/产业机器电子化、智慧手机高性能化，提振MLCC需求持续维持在高水准，因此今年度(2018年4月-2019年3月)合并营收目标自原先预估的2,600亿日元上修至2,710亿日元，年增长11.0%；合并营益目标自245亿日元上修至300亿日元，将年增长48.4%；合并纯益目标也自170亿日元上修至210亿日元，将年增长28.4%、将创下历史新高纪录。

太阳诱电将今年度电容部门(MLCC部门)营收目标自原先预估的1,610亿日元上修至1,710亿日元；亚铁盐芯及电感部门营收目标自405亿日元上修至420亿日元；复合元件部门(包含零件内藏式PCB、表面声波滤波器SAW FILTER、电源模组、高频模组等产品)营收目标则自545亿日元下修至500亿日元。

太阳诱电表示，电容稼动率(产能利用率)今后预估将持续呈现全开状态。太阳诱电指出，2018年12月底时电容库存预估将同于9月底水准，且将在之后的2019年3月底增加约15亿日元库存、以预备需求增加。

日经新闻指出，太阳诱电目前正以年增1成左右的水准扩增MLCC产能，但仍追不上需求增幅。

太阳诱电同时公布上季(2018年7-9月)财报：因电容销售大增，提振合并营收较去年同期成长15.4%至739.89亿日元、季度别营收创下历史新高纪录；合并营益暴增62.7%至87.22亿日元、合并纯益大增25.1%至53.34亿日元。

上季太阳诱电电容部门营收较去年同期大增18.8%至439.84亿日元、亚铁盐芯及电感部门营收成长4.8%至119.26亿日元、复合元件部门营收下滑11.5%至131.60亿日元。

太阳诱电虽调升财测、纯益将创历史高，不过股价不赏脸、暴跌。

根据嘉实XQ全球赢家系统报价，截至12日上午9点20分为止，太阳诱电暴跌8.94%至2,382日元；今年迄今太阳诱电股价暴涨约35%。

日本另一家MLCC大厂TDK于10月31日以车用MLCC等被动元件销售大涨为由，将今年度(2018年4月-2019年3月)合并营收目标自原先预估的1.34兆日元上修至1.42兆日元，将年增长11.7%、合并营益目标自1,000亿日元上修至1,200亿日元，将年增长33.8%、合并纯益目标也自700亿日元上修至800亿日元，将年增长26.1%。

TDK社长石黑成直于10月31日举行的财报说明会上表示，正以年增20%的速度扩增MLCC产能。

MLCC龙头厂村田制作所(Murata)会长兼社长村田恒夫10月16日接受日媒采访时表示，目前陷入严重缺货的MLCC在今后2年间恐将持续呈现供需紧绷状态。村田恒夫指出，各家MLCC厂商虽已进行增产，不过供应要能追上需求增幅、预估还需约2年时间。