ILN2003ADT达林顿晶体管 IKSemi代理奥伟斯科技

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ILN2003ADT替代ULN2003ADR (TI)

ILN2003ADT替代ULN2003AFWG (东芝)

ILN2003ADT替代ULN2003D1013TR (ST)

该电路的特点如下：

ILN2003ADT的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路

直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

ILN2003ADT工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受50V 的电压，输出还

可以在高负载电流并行运行。

ILN2003ADT采用DIP—16 或SOP—16 塑料封装。

  ILN2003A是高电压压，大电流达林顿晶体管阵列。 每个包括七个npn达林顿对，其具有高压输出，具有用于切换感性负载的共阴极钳位二极管。 单个达林顿对的集电极电流额定值为500 mA。 达林顿对可以并联用于更高的电流能力。 应用包括继电器驱动器，电锤驱动器，灯驱动器，显示驱动器（LED和气体放电），线路驱动器和逻辑缓冲器。
  ILN2003A具有2.7kΩ的每个达林顿对，可直接与TTL或5-V CMOS器件一起工作。
500 mA额定集电极电流（单输出）
高压输出。 。 。 50V
输出钳位二极管
输入兼容各种类型的逻辑
继电器驱动器应用

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Leven Cai 蔡明柱

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